FMMT6520TA, 50nA 350V 330mW 20@50mA,10V 500mA 50MHz 1V@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070176447
- Артикул
- FMMT6520TA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 62,40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | FMMT65 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 330 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 350 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9 3mA 30mA|0.85 2mA 20mA|0.75 1mA 10mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1 5mA 50mA|0.5 3mA 30mA|0.35 2mA 20mA|0.3 1mA 10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 20 at 1 mA, 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at 1 mA, 10 V, 30 at 10 mA, 10 V, 30 at 30 m |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |