FMMT620TA, Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001015508
- Артикул
- FMMT620TA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1,5А, 625мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | FMMT62 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Base Current (A) | 0.5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 806 mW |
| Maximum Operating Frequency | 160 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 806 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 160(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@50mA@1.5A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |