FMMT596TA, Trans GP BJT PNP 200V 0.3A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001069888
- Артикул
- FMMT596TA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.75
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.04 mm |
| Серия | FMMT59 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.02 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 0.98 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Minimum DC Current Gain | 100@1mA@10V|35@400mA@10V|100@100mA@10V|85@250mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 220 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 200V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 200 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@25mA@250mA |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.35@25mA@250mA|0.2@10mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 220 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.35 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |