Моя заявка (0)

FMMT593TC, 100V 500mW 100@500mA,5V 1A PNP SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

FMMT593TC, 100V 500mW 100@500mA,5V 1A PNP SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025166919
Артикул
FMMT593TC
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
FMMT59
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:FMMT59
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23-3(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)500mW
Pd - Power Dissipation:500 mW
Transition Frequency (fT)50MHz
Gain Bandwidth Product fT:50 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@500mA, 5V
Collector- Base Voltage VCBO:120 V
Continuous Collector Current:-1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)100V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500mA, 50mA

Техническая документация