FMMT593TA, Транзистор PNP, биполярный, 100В, -1А, 500мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537793
- Артикул
- FMMT593TA
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.4 mm
- Height
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 89,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 100В, -1А, 500мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 3 mm |
| Series | FMMT593 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3мм |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.1мм |
| Корпус | SOT23-3 |
| Ширина | 1.4мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Gain Bandwidth Product FT | 50 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -120 V |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | PNP |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -300 mV |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая частота | 50 MHz |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 500мВт |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |