Моя заявка (0)

FMMT593QTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount

FMMT593QTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017330342
Артикул
FMMT593QTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Серия
FMMT593
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
PNP
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A

Технические параметры

Вес, г0.001
СерияFMMT593
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypePNP
Power Dissipation500мВт
Структураpnp
ТехнологияSi
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)500mW
DC Current Gain hFE Min50hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)50MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current1А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@500mA, 5V
Collector Emitter Voltage Max100В
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE50hFE
Частота Перехода ft50МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)100V
Полярность ТранзистораPNP
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500mA, 50mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1

Техническая документация