FMMT593QTA, Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059832
- Артикул
- FMMT593QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- FMMT593
- Transistor Type
- PNP
- Power Dissipation
- 500мВт
Цена по запросу
(от 70,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | FMMT593 |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@500mA, 5V |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 50hFE |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500mA, 50mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |