Биполярный транзистор FMMT591TA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671506
- Артикул
- FMMT591TA
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.4 mm
- Height
- 1.02 mm
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 723 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-транзисторы общего назначения, до 1,5А, включая диоды
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.02 mm |
| Length | 3.04 mm |
| Series | FMMT59 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3.04мм |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.02мм |
| Корпус | SOT23-3 |
| Ширина | 1.4мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Размеры | 1.02 x 3.04 x 1.4мм |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| DC Current Gain hFE Max | 300 at 1 mA at 5 V |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Gain Bandwidth Product fT | 150 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | PNP |
| Число контактов | 3 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 300 at 1 mA at 5 V, 300 at 100 mA at 5 V, 250 at 500 mA at 5 V, 160 at 1 A at 5 V, 30 at 2 A at 5 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -60 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -295 mV |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 40 В |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |