Моя заявка (0)
FMMT591ATC, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005444053
Артикул
FMMT591ATC
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Длина
3.05 mm
Серия
FMMT59
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 57,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Технические параметры

Вес, г0.01
Длина3.05 mm
СерияFMMT59
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Power Dissipation500мВт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min160hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current1А
Collector Emitter Voltage Max40В
DC Усиление Тока hFE160hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft150МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности500 mW
Размер фабричной упаковки10000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 1 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация