Моя заявка (0)
FMMT591AQTA, SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070186825
Артикул
FMMT591AQTA
Бренд
DIODES INC.
RoHS
Details
Brand
Diodes Incorporated
Brand:
Diodes Incorporated
Series
FMMT591
Цена по запросу
(от 71,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Адаптивное светодиодное освещение Компании Diodes Inc., специализирующиеся на адаптивном светодиодном освещении, пользуются большим спросом для освещения транспортныx средств, включая декоративную подсветку, накладки на пороги с подсветкой и освещение луж в качестве относительно недавниx дополнений. Для элегантного дизайна освещения, где требуются такие эффекты, как затемнение и постепенное исчезновение, требуется устройство с регулируемой яркостью. Светодиодные драйверы с переключающими регуляторами обеспечивают максимальную общую эффективность при высочайшей степени контроля и точности. Простые решения для светодиодного освещения могут быть реализованы с помощью последовательного резистора, однако в автомобильной среде это имеет множество недостатков. Мощность светодиода будет изменяться в зависимости от напряжения во время остановок / пусков, и для визуального соответствия могут потребоваться светодиоды с VF-согласованием. Срок службы светодиодов может сократиться из-за неконтролируемыx скачков тока. Светодиодные драйверы Diodes решают эти проблемы просто и экономично, занимая небольшую площадь.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandDiodes Incorporated
Brand:Diodes Incorporated
SeriesFMMT591
Series:FMMT591
PackagingReel
Вес, г0.02
Technology:Si
ManufacturerDiodes Incorporated
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
ConfigurationSingle
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Power Dissipation500мВт
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityPNP
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity3000
Collector Current (Ic)1A
Pd - Power Dissipation500 mW
Power Dissipation (Pd)500mW
DC Current Gain hFE Max800 at-100 mA at-5 V
DC Current Gain hFE Min160hFE
Pd - Power Dissipation:500 mW
DC Current Gain hFE Max:800 at-100 mA, -5 V
КвалификацияAEC-Q101
Gain Bandwidth Product fT150 MHz
Transition Frequency (fT)150MHz
Emitter- Base Voltage VEBO-7 V
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO-40 V
Continuous Collector Current1А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)300@100mA, 5V
Maximum DC Collector Current-1 A
Collector Emitter Voltage Max40В
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature-55 C
Minimum Operating Temperature+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min300 at-100 mA at-5 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:300 at-100 mA, -5 V
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE160hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft150МГц
Collector- Emitter Voltage VCEO Max-40 V
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage-200 mV
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Полярность ТранзистораPNP
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@100mA, 1A
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация