FMMT591A, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8781482155
- Артикул
- FMMT591A
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 3.05 mm
- Серия
- FMMT59
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FMMT591A - это кремниевый планарный биполярный транзистор средней мощности на основе PNP, который обеспечивает низкое эквивалентное сопротивление RCE (sat) 350 Мом при 1 А. • FMMT491A - дополнительный NPN-транзистор • Диапазон рабочиx температур от -55 до 150°C
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | FMMT59 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 500mW |
| Структура | pnp |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transition Frequency | 150MHz |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| DC Current Gain hFE Min | 300hFE |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 1A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@100mA, 5V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 40V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@100mA, 1A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |