FMMT555TC, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016498445
- Артикул
- FMMT555TC
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- FMMT55
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | FMMT55 |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 50 at 10 mA, 10 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Continuous Collector Current: | -1 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |