Моя заявка (0)
FMMT495TC, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062489188
Артикул
FMMT495TC
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Series
FMMT49
Packaging
Reel
Вес, г
0.06
Цена по запросу
(от 72,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
SeriesFMMT49
PackagingReel
Вес, г0.06
Длина3 mm
СерияFMMT49
SubcategoryTransistors
ManufacturerDiodes Incorporated
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
Высота1.1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Power Dissipation500мВт
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity10000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation500 mW
DC Current Gain hFE Min10hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Collector- Base Voltage VCBO170 V
Continuous Collector Current1 A
Maximum DC Collector Current1 A
Collector Emitter Voltage Max150В
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Усиление Тока hFE10hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft100МГц
Collector- Emitter Voltage VCEO Max150 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Saturation Voltage0.3 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки10000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)170 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.150 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация