FMMT495TC, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017109967
- Артикул
- FMMT495TC
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- FMMT49
- Packaging
- Reel
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 108 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | FMMT49 |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | FMMT49 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 170 V |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 150В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 150 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 170 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |