FMMT494TA, Trans GP BJT NPN 120V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001175075
- Артикул
- FMMT494TA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 28 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 120V 1A 500 МВт 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | FMMT49 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Minimum DC Current Gain | 20 1A 10V|60 500mA 10V|100 250mA 10V|100 1mA 10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@250mA, 10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 140 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 120 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 50mA 500mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 50mA 500mA|0.2 25mA 250mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500mA, 50mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |