Моя заявка (0)
FMMT494QTA, Bipolar Transistors - BJT SSMidPerfTranstr

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059828
Артикул
FMMT494QTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
500мВт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 67,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SSMidPerfTranstr

Технические параметры

Вес, г0.01
Transistor TypeNPN
Power Dissipation500мВт
ТехнологияSi
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1A
Power Dissipation (Pd)500mW
DC Current Gain hFE Min20hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)100MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current1А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@250mA, 10V
Collector Emitter Voltage Max120В
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE20hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft100МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)120V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA, 500mA
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)140 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.120 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация