FMMT493TC, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004585513
- Артикул
- FMMT493TC
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Длина:
- 3 mm
- Серия:
- FMMT49
- Высота:
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 54,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина: | 3 mm |
| Серия: | FMMT49 |
| Высота: | 1.1 mm |
| Ширина: | 1.4 mm |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Структура | npn |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| Квалификация | - |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 500 mW |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Размер фабричной упаковки: | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 120 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 600 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 150 MHz |