FMMT493TA, Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 1А, 500мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537791
- Артикул
- FMMT493TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 3мм
- Серия
- FMMT493
Цена по запросу
(от 25,80 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3мм |
| Серия | FMMT493 |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.1мм |
| Корпус | SOT23-3 |
| Ширина | 1.4мм |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Производитель | DiodesZetex |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 500мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.15 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 20 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |