FMMT491QTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012541884
- Артикул
- FMMT491QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Technology
- Si
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 118 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Mid-Perf Transistor
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.001 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 300 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 100 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 160 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |