Моя заявка (0)

FMMT491ATA, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 1А, 500мВт, SOT23

FMMT491ATA, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 1А, 500мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025062778
Артикул
FMMT491ATA
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Series
FMMT491
Packaging
Cut Tape or Reel
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный FMMT491ATA от DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент, предназначенный для использования в современной электронике. Монтаж данной модели осуществляется с помощью поверхностного монтажа (SMD), что обеспечивает удобство интеграции в печатные платы. Транзистор обладает коллекторным током 1 А и напряжением коллектор-эмиттер в 40 В, что позволяет использовать его в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 0,5 Вт. Тип транзистора NPN, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Корпус SOT23 обеспечивает компактность компонента и удобство монтажа. Заказав FMMT491ATA, вы получите надежный и долговечный компонент для своих электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 40 Мощность, Вт 0.5 Корпус SOT23

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
SeriesFMMT491
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count3
Вес, г0.05
Длина3 mm
СерияFMMT491
SubcategoryTransistors
ManufacturerDiodes Incorporated
Package TypeSOT-23
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
Высота1.1 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.4 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation500 mW
DC Current Gain HFE Max300 at 1 mA, 5 V
Minimum DC Current Gain300
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT150 MHz
Maximum Power Dissipation500 mW
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum Operating Frequency150 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Collector- Base Voltage VCBO40 V
Continuous Collector Current1 A
Maximum DC Collector Current1 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Collector Base Voltage40 V
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Saturation Voltage0.5 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт500мВт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 1 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA at 5 V, 300 at 500 mA at 5 V, 200 at 1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация