Моя заявка (0)

FMMT489TA, 100nA 30V 500mW 100@1A,2V 1A 150MHz 600mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

FMMT489TA, 100nA 30V 500mW 100@1A,2V 1A 150MHz 600mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017630717
Артикул
FMMT489TA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.02
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 27,53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы NPN SOT-23-3 на 30 В 500 МВт, 100 В 1 А, 2 В 1 А - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)1A
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)500mW
Pd - Power Dissipation:500 mW
Transition Frequency (fT)150MHz
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@1A, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:600 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@2A, 200mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150

Техническая документация