Моя заявка (0)

FMMT459QTA, 10nA 450V 625mW 70@50mA,10V 150mA 50MHz 70mV@50mA,6mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

FMMT459QTA, 10nA 450V 625mW 70@50mA,10V 150mA 50MHz 70mV@50mA,6mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070102602
Артикул
FMMT459QTA
Бренд
DIODES INC.
Packaging
Tape и Reel(TR)
Вес, г
0.04
Manufacturer
Diodes Incorporated
Корпус
SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 108,49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS Hi Voltage Trans

Технические параметры

PackagingTape и Reel(TR)
Вес, г0.04
ManufacturerDiodes Incorporated
КорпусSOT-23(TO-236)
Package / CaseSOT-23-3
УпаковкаReel, Cut Tape
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности625 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)500 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.450 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер70 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.120 at 30 mA, 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 30 mA, 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация