FMMT458TA, Транзистор, NPN, 400В, 0.225А, 0.5Вт, hFE=100…300 [SOT-23-3.]
![FMMT458TA, Транзистор, NPN, 400В, 0.225А, 0.5Вт, hFE=100…300 [SOT-23-3.]](https://static.epl-electro.ru/lib/161/DOC004161370.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000478663
- Артикул
- FMMT458TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 3 mm
- Серия
- FMMT458
- Высота
- 1.1 mm
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные транзисторы, Диоды, включая
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | FMMT458 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.225 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.225 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |