Моя заявка (0)

FMMT455TA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 140 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount

FMMT455TA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 140 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016279145
Артикул
FMMT455TA
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
0.001
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.001
Длина3 mm
СерияFMMT45
Power - Max500mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberFMMT455 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition100MHz
Supplier Device PackageSOT-23-3
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)140V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)160 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.140 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация