Моя заявка (0)

FMMT449TA, 100 NPN 500mW 1A 30V SOT-23 Single Bipolar Transistors RoHS

FMMT449TA, 100 NPN 500mW 1A 30V SOT-23 Single Bipolar Transistors RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8057895099
Артикул
FMMT449TA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
FMMT44
Вес, г
0.02
Power - Max
500 mW
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 30 В 1 А 150 МГц 500 МВт для поверxностного монтажа SOT-23-3

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:FMMT44
Вес, г0.02
Power - Max500 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Frequency - Transition150MHz
Pd - Power Dissipation:500 mW
Supplier Device PackageSOT-23-3
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:1 A
Maximum DC Collector Current:1 A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max)1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Current - Collector Cutoff (Max)100nA(ICBO)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация