FMMT415TD, 100nA 100V 500mW 25@10mA,10V 500mA 40MHz 500mV@10mA,1mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052492312
- Артикул
- FMMT415TD
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.11
- Длина
- 3 mm
- Серия
- FMMT41
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | FMMT41 |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Maximum Operating Frequency | 40 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 320 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 260 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 at 10 mA at 10 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 40 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 10 mA at 10 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |