FMMT413TD, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001033518
- Артикул
- FMMT413TD
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 690 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | FMMT41 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 0.98 |
| Package Length | 2.9 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 50@10mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 150 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.8@1mA@10mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.15@1mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 50 at 10 mA, 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 10 mA, 10 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |