FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009588122
- Артикул
- FMM50-025TF
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- ISOPLUS i4-pac™ x024a
- Mounting
- THT
- Technology
- HiPerFET™, Trench
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 2 843,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | ISOPLUS i4-pac™ x024a |
| Mounting | THT |
| Technology | HiPerFET™, Trench |
| Вес, г | 5 |
| Gate charge | 78nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 30A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Pulsed drain current | 130A |
| Reverse recovery time | 84ns |
| Особенности | - |
| Semiconductor structure | double series |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |