FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2, TrenchT2™, полевой, 75В, 120А, Idm: 500A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062570819
- Артикул
- FMM150-0075X2F
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 18 ns
Цена по запросу
(от 3 028,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, TrenchT2™, полевой, 75В, 120А, Idm: 500A Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 6.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | ISOPLUS i4-PAC-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 178 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |