FMBM5551, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 160 V, 600 mA, 700 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001631153
- Артикул
- FMBM5551
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.5
- Длина
- 3 mm
- Серия
- FMBM5551
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.5 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | FMBM5551 |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SuperSOT-6 |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Другие названия товара № | FMBM5551_NL |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |