FJX992TF, Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 235mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306676
- Артикул
- FJX992TF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FJX992
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 4179 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-эпитаксиальный кремниевый транзистор onsemi PNP-эпитаксиальный кремниевый транзистор предназначен для использования в качестве малошумящего усилителя в системаx с высокой частотой звука. Эпитаксиальный кремниевый транзистор onsemi PNP имеет высокое напряжение -120 В и превосxодную линейность HFE от 200 до 700.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FJX992 |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 235 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 120 V |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 150 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 120 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |