FJV42MTF, Транзистор биполярный BJT 100 нА 350 В 350мВт 25 при 1 мА, 10 В 500 мА 50 МГц NPN 500 мВ при 20 мА, 2 мА -55°C+150°C @(Tj) SOT-23-
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065997172
- Артикул
- FJV42MTF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.04
- Серия
- FJV42MTF
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Power Dissipation
- 350мВт
Цена по запросу
(от 99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Серия | FJV42MTF |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 350В |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 350мВт |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |