FJV1845FMTF, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834195
- Артикул
- FJV1845FMTF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 14,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor
Технические параметры
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.92 mm |
| Серия | FJV1845 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.93 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Part Number | FJV1845 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 110MHz |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Operating Frequency | 110 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 50 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 6V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.07 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |