FJT44KTF, Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306663
- Артикул
- FJT44KTF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 1898 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 400 В 0,3 А 2000 МВт 4-контактный(3+Tab) SOT-223 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | FJT44 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | SOT-223 |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.56 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| DC Current Gain | 40 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Power Dissipation | 2(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Emitter-Base Voltage | 6(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (DC) | 0.3(A) |
| Collector-Base Voltage | 500(V) |
| Minimum DC Current Gain | 40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 500 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.75@1mA@10mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4@0.1mA@1mA|0.5@1mA@10mA|0.75@5mA@50mA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |