FJP5555TU, Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584608
- Артикул
- FJP5555TU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.8
- Длина
- 10.1 mm (Max)
- Серия
- FJP5555
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.8 |
| Длина | 10.1 mm (Max) |
| Серия | FJP5555 |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 9.4 mm (Max) |
| Ширина | 4.7 mm (Max) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 14 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 1050 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Другие названия товара № | FJP5555TU_NL |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 14 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.05 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |