Моя заявка (0)
FJP13009TU, Transistor, 12 A NPN, 400 V, 3-Pin TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010471091
Артикул
FJP13009TU
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
10.1 mm
Серия
FJP13009
Power - Max
100 W
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor

Технические параметры

Вес, г1
Длина10.1 mm
СерияFJP13009
Power - Max100 W
Высота9.4 mm
КорпусTO-220
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Структураnpn
ТехнологияSi
Operating Temperature150°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Frequency - Transition4MHz
Supplier Device PackageTO-220-3
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-220-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 3A, 12A
Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce8 @ 5A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности100 W
Другие названия товара №FJP13009TU_NL
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Непрерывный коллекторный ток12 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)700 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора12 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.40
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)4 MHz

Техническая документация