FJP13009H2TU, Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834183
- Артикул
- FJP13009H2TU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.8
- Длина
- 10.1 mm
- Серия
- FJP13009
Цена по запросу
(от 266,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.8 |
| Длина | 10.1 mm |
| Серия | FJP13009 |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 9.4 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tube |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 8, 15 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | 12 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 700 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Другие названия товара № | FJP13009H2TU_NL |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 12 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 700 |