FJL6920TU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834181
- Артикул
- FJL6920TU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
- Длина
- 20 mm
Цена по запросу
(от 1 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Длина | 20 mm |
| Серия | FJL6920 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 26 mm |
| Корпус | TO-264 |
| Ширина | 5 mm |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Упаковка | Tube |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 85 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 1.7 kV |
| Continuous Collector Current: | 20 A |
| Maximum DC Collector Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 800 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Размер фабричной упаковки | 375 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 20 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.7 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5.5 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 85 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1700 |