Моя заявка (0)

FJL4315OTU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

FJL4315OTU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004834180
Артикул
FJL4315OTU
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FJL4315
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 693 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FJL4315
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г6.76
Technology:Si
Package TypeTO-264
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-264-3
Part # Aliases:FJL4315OTU_NL
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Minimum DC Current Gain55
Pd - Power Dissipation:150 W
DC Current Gain hFE Max:160
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 W
Gain Bandwidth Product fT:30 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Maximum Operating Frequency30 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current17 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:250 V
Continuous Collector Current:15 A
Maximum DC Collector Current:17 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage250 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-50 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:80
Maximum Collector Emitter Voltage250 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:25

Техническая документация