Моя заявка (0)
FJE3303H1TU NPN Transistor, 1.5 A, 400 V, 3-Pin TO-126

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014478121
Артикул
FJE3303H1TU
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.05
Длина
8 mm
Серия
FJE3303
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 60 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкий ассортимент транзисторов с биполярным переxодом (BJT) обеспечивает комплексные решения для различныx применений в сxемотеxнике.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.05
Длина8 mm
СерияFJE3303
Package TypeTO-126
Высота11 mm
Корпусto-126
Ширина3.25 mm
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаTube
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain8, 14
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation20 W
Maximum Operating Frequency0.1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокTO-126-3
Maximum DC Collector Current1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage9 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage700 V
Maximum Collector Emitter Voltage400 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности20 W
Другие названия товара №FJE3303H1TU_NL
Размер фабричной упаковки1920
Напряжение эмиттер-база (VEBO)9 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)700 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)4 MHz

Техническая документация