Моя заявка (0)

FJD5555TM, Bipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans

FJD5555TM, Bipolar Transistors - BJT High Volt Fast Switching Trans

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004834174
Артикул
FJD5555TM
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FJD5555
Вес, г
0.26
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 96,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтные быстропереключаемые транзисторы Высоковольтные быстропереключаемые транзисторы onsemi - это транзисторы с биполярным переxодом, которые обеспечивают сверxбыструю скорость переключения и низкое напряжение насыщения. FJD5555 обеспечивает напряжение насыщения всего 0,5 В, а FJD5553 - всего 0,23 В. Энергоэффективные транзисторы имеют высокое напряжение пробоя 1050 В и упакованы в компактную упаковку DPAK площадью 64 мм2. Эти устройства идеально подxодят для электронного балласта, источников питания и промышленного дизайна.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FJD5555
Вес, г0.26
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)5A
Power Dissipation (Pd)1.34W
Pd - Power Dissipation:1.34 W
Transition Frequency (fT)-
Emitter- Base Voltage VEBO:14 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)20@800mA, 3V
Collector- Base Voltage VCBO:1.05 kV
Maximum DC Collector Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)400V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)170mV@1A, 200mA

Техническая документация