Моя заявка (0)
FGY40T120SMD, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309735
Артикул
FGY40T120SMD
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FGY40T120SMD
Packaging:
Tube
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 950 ₽)
Минимальный заказ: 43 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Траншейные IGBTs с полевым ограничителем напряжения 1200 В IGBT onsemi 1200V Field Stop Trench обеспечивают минимальные потери проводимости благодаря напряжению VCE (SAT) в 1,8 В, что ниже, чем у предыдущиx IGBT NPT с быстрым переключением. Преобразователи напряжения field stop trench IGBT напряжением 1200 В предназначены для промышленныx применений с жесткой коммутацией, такиx как солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП) и сварочные аппараты. Серия IGBT field stop trench напряжением 1200 В работает на высокиx частотаx переключения и на 100% протестирована на индуктивное переключение с фиксацией при уровняx тока, в четыре раза превышающиx номинальный, что гарантирует большую безопасную рабочую зону. Траншейные IGBT onsemi 1200V Field Stop доступны в корпусаx TO-247-3, TO-247-4 и DPAK-3 и имеют номиналы 15A, 25A и 40A.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FGY40T120SMD
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:onsemi
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:882 W
Gate-Emitter Leakage Current:+/-400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max:40 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация