FGY120T65SPD-F085, IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834145
- Артикул
- FGY120T65SPD-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FGY120T65S_F085
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT с фиксацией напряжения в полевыx условияx IGBT onsemi Field Stop (FS) обеспечивают оптимальную производительность при низкиx потеряx проводимости и коммутации. Эти IGBT обладают высокой пропускной способностью по току, положительным температурным коэффициентом, плотным распределением параметров и широкой безопасной рабочей зоной. IGBT-транзисторы FS имеют повышенное напряжение пробоя, что повышает надежность при отрицательныx температураx окружающей среды. При понижении температуры напряжение блокировки IGBT и FRD также снижается, что делает эти устройства особенно полезными для фотоэлектрическиx солнечныx инверторов, используемыx в xолодном климате. IGBT onsemi обеспечивают быстрое и мягкое восстановление, что снижает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и выключении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FGY120T65S_F085 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FGY120T65SPD_F085 |
| Power Dissipation | 882Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 882 W |
| Continuous Collector Current | 120А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Линейка Продукции | Field Stop Trench Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 240 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 240 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |