FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] [EOL]
![FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/269/DOC006269374.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000196092
- Артикул
- FGL60N100BNTD
- Бренд
- Fairchild Semiconductor
- Вес, г
- 10
- Корпус
- TO-264
- Технология/семейство
- NPT
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+150
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ FGL60N100BNTD от ONSEMI представляет собой высокопроизводительный IGBT транзистор в корпусе TO264, предназначенный для монтажа THT. Этот компонент отличается током коллектора 60А и напряжением коллектор-эмиттер 1000В, что обеспечивает оптимальную работу в высоковольтных применениях. Мощность устройства достигает 180Вт, что позволяет использовать его в мощных электронных схемах. Модель FGL60N100BNTD гарантирует надежность и долговечность, становясь идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 60 Напряжение коллектор-эмиттер, В 1000 Мощность, Вт 180 Корпус TO264
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
| Корпус | TO-264 |
| Технология/семейство | NPT |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 180 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 140 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 630 |