FGL60N100BNTD TO-264
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075234744
- Артикул
- FGL60N100BNTD
- Бренд
- Fairchild Semiconductor
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 5 mm
- Height
- 26 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ FGL60N100BNTD от ONSEMI представляет собой высокопроизводительный IGBT транзистор в корпусе TO264, предназначенный для монтажа THT. Этот компонент отличается током коллектора 60А и напряжением коллектор-эмиттер 1000В, что обеспечивает оптимальную работу в высоковольтных применениях. Мощность устройства достигает 180Вт, что позволяет использовать его в мощных электронных схемах. Модель FGL60N100BNTD гарантирует надежность и долговечность, становясь идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 60 Напряжение коллектор-эмиттер, В 1000 Мощность, Вт 180 Корпус TO264
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 5 mm |
| Height | 26 mm |
| Length | 20 mm |
| Series | FGL60N100BNTD |
| Packaging | Tube |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.238311 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3 |
| Part # Aliases | FGL60N100BNTDTU_NL |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Pd - Power Dissipation | 180 W |
| Continuous Collector Current | 60 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-500 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1000 V |
| Continuous Collector Current Ic Max | 60 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |