FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт [TO-264.] [EOL]
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт [TO-264.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/269/DOC006269374.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000114852
- Артикул
- FGL40N120ANDTU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 10
- Корпус
- TO-264
- Технология/семейство
- NPT
- Рабочая температура (Tj), °C
- -55…+150
Цена по запросу
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT, N-КАНАЛЬНЫЙ, БЫСТРЫЙ, W/DIO,1200 В,64 А, TO264; Тип транзистора: IGBT; Ток коллектора постоянного тока:64 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces:1,2 кВ; Рассеиваемая мощность Pd:500 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo:1,2 кВ; Диапазон рабочиx температур: -55°CC до +150°C; Тип корпуса транзистора: TO-264; Количество контактов: 3; SVHC: Без SVHC (19 декабря 2011 г.); Максимальная рассеиваемая мощность: 500 Вт
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
| Корпус | TO-264 |
| Технология/семейство | NPT |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 64 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 500 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 15 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 110 |