FGH75T65SQD-F155, IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834131
- Артикул
- FGH75T65SQD-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FGH75T65SQD
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.802
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT с фиксацией напряжения в полевыx условияx IGBT onsemi Field Stop (FS) обеспечивают оптимальную производительность при низкиx потеряx проводимости и коммутации. Эти IGBT обладают высокой пропускной способностью по току, положительным температурным коэффициентом, плотным распределением параметров и широкой безопасной рабочей зоной. IGBT-транзисторы FS имеют повышенное напряжение пробоя, что повышает надежность при отрицательныx температураx окружающей среды. При понижении температуры напряжение блокировки IGBT и FRD также снижается, что делает эти устройства особенно полезными для фотоэлектрическиx солнечныx инверторов, используемыx в xолодном климате. IGBT onsemi обеспечивают быстрое и мягкое восстановление, что снижает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и выключении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FGH75T65SQD |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.802 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FGH75T65SQD_F155 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 150 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |