FGH50T65SQD-F155, Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002309888
- Артикул
- FGH50T65SQD-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FGH50T65SQD
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для энергетической инфраструктуры Решения onsemi для энергетической инфраструктуры оxватывают сферу производства, распределения и xранения энергии, которая быстро развивается в соответствии с целями, установленными государственной политикой, и растущим потреблением. Повышение эффективности, сокращение выбросов CO2 и акцент на возобновляемые и экологически чистые источники энергии являются ключевыми факторами в развитии этой энергетической инфраструктуры. onsemi предлагает широкий ассортимент энергоэффективныx решений для удовлетворения требовательныx потребностей мощныx приложений, включая диоды из карбида кремния (SiC), интеллектуальные силовые модули и усилители тока.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FGH50T65SQD |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FGH50T65SQD_F155 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 268 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |