FGH4L40T120LQD, IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539817
- Артикул
- FGH4L40T120LQD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 5.42
- Package Type
- TO-247
- Number of Transistors
- 30
- Maximum Power Dissipation
- 153 W
Цена по запросу
(от 1 670 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенный полупроводниковый IGBT ultra field stop на 1200 В, 40 А. В этом IGBT используется встроенный диод с быстрой коммутацией, что делает его идеальным для применения в системаx с жесткой коммутацией, где EON, IRRM и trr являются важными факторами, определяющими потери.
Технические параметры
| Вес, г | 5.42 |
| Package Type | TO-247 |
| Number of Transistors | 30 |
| Maximum Power Dissipation | 153 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |