FGH40T65SPD-F155, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002308174
- Артикул
- FGH40T65SPD-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 660 ₽)
Минимальный заказ: 141 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная микросxема IGBT N-CH 650V 80A 267 Вт с 3-контактным разъемом (3 + вкладки) TO-247
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | Field Stop|Trench |
| Вес, г | 0.5 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.7 mm |
| Package Length | 15.62 mm |
| Supplier Package | TO-247 |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 267 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 80 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.85 |